دراسة علمية تكشف دور الأكسدة الحرارية في تطوير تراكيب Si/SiOx للتطبيقات الإلكترونية المتقدمة

تعتبر الأكسدة السطحية لرقائق السليكون من العوامل المهمة التي تكسبها خصائص واعدة جعلتها محور اهتمام العديد من المجوعات البحثية حول العالم نظراً لاستخدام أكسيد السليكون كمكون رئيسي في تصنيع العديد من الأجهزة الإلكترونية الحديثة، حيث تعتمد آلية الأكسدة الحرارية لرقائق السيلكون على عاملين رئيسيين هما ضغط غاز الأكسجين ودرجة حرارة الأكسدة.

وفي هذا الإطار، أنجز فريق بحثي من كلية العلوم بجامعة دمشق دراسة علمية تضمنت إمكانية استخدام الأكسدة الحرارية للسيلكون في الهواء للحصول على تراكيب Si/SiOx ذات خصائص بنيوية يمكن التحكم فيها بحيث تكون مناسبة للتطبيق في مجال صناعة مكونات الأجهزة الإلكترونية.

وركزت الدراسة العلمية على تقصي تأثير درجة حرارة الأكسدة على التركيب البنيوي لشرائح السليكون لما له من تأثير بالغ الأهمية على مجمل الخصائص الطيفية للطبقات السطحية في هذه الشرائح.

وبينت نتائج الدراسة أن الأكسدة الحرارية لرقائق السيلكون عند درجات حرارة أقل من 1200 درجة مئوية تؤدي إلى تعزيز ظاهرة انقسام حركات التمدد الضوئي الطولي والعرضي، والتي تم التحقق منها من خلال رصد ظهور قمتين متداخلتين في المنطقة (1000–1300) cm−1 في أطياف FTIR.

 من جهة أخرى بينت النتائج أيضاً أن عملية الانقسام تؤدي إلى تشكل عيوب في البنية البلورية للرقاقة مترافقة مع تكون تشكيلات نانوية من السيليكون.

يشار إلى أن نتائج الدراسة نشرت في مجلة Silicon التابعة لدار النشر Springer وهي تملك معامل التأثير 2.8 ومصنفة في الربع الثاني .(Q2)